非晶硅太陽(yáng)光模擬器電性能測試方法從原則到具體程序都和單晶硅、多晶硅太陽(yáng)光模擬器電性能測試相同，但必須注意以下幾點(diǎn)區別，否則可能導致嚴重的測量誤差。

　　一、校準輻照度：應選用恰當的、專(zhuān)用于非晶硅太陽(yáng)光模擬器測試的非晶硅標準太陽(yáng)光模擬器來(lái)校準輻照度。如果采用單晶硅或者多晶硅太陽(yáng)光模擬器作為標準來(lái)校準輻照度，將會(huì )得到毫無(wú)意義的測試結果。當然，按照光譜失配的理論，如果所選的用的測試光源十分理想，那么，即使用單晶硅標準太陽(yáng)光模擬器校準輻照度也能獲得正確的結果，當然，這個(gè)在一般生產(chǎn)或者實(shí)驗室是很難做到的。

　　二、光源：用于非晶硅太陽(yáng)光模擬器電性能測試的太陽(yáng)光模擬器的光源應盡可能選用在300納米到800納米波長(cháng)范圍內，光譜特性非常接近AM1.5太陽(yáng)光譜。

　　三、光譜響應：太陽(yáng)光模擬器的光譜響應就是當某一波長(cháng)的光照射在電池表面上時(shí)，每一光子平均所能收集到的載流子數。由于用不同材料和工藝制造的太陽(yáng)光模擬器的光譜響應差異很大，同時(shí)考慮電池的光譜響應和光源的光譜分布這兩個(gè)因素就能夠得到更好的測量結果；更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，多結薄膜電池中各結的電流匹配也需要對每結的光譜響應做出精確的測量。非晶硅太陽(yáng)光模擬器的光譜響應特性與所加偏置光及偏置電壓有關(guān)，在非標準條件下進(jìn)行測試和換算時(shí)應注意相關(guān)條件。

　　非晶硅的光譜響應波長(cháng)范圍為400納米到800納米，而單晶硅光譜響應波長(cháng)范圍為400納米到1100納米。由于模擬器用氙燈光源的光譜在800nm到1100nm的紅外區段的光譜比標準的AM1.5的光譜更為豐富。采用單晶硅標準件標定太陽(yáng)光模擬器來(lái)測非晶硅太陽(yáng)光模擬器，在800納米到1100納米波段對非晶硅太陽(yáng)光模擬器電流沒(méi)有任何貢獻，但對單晶硅太陽(yáng)光模擬器的電流有著(zhù)非常大的貢獻，這就會(huì )產(chǎn)生嚴重的失配，導致非晶硅太陽(yáng)光模擬器的電流大幅度被壓低，引起嚴重的測量誤差。